主要技術指標：(1)每臺真空腔的極限本底真空< 3 　 10-10 Torr。(2) PLD腔需帶臭氧發生器;臭氧工作氣壓>1 　 10-3 Torr;臭氧純度> 13%;臭氧導引管需安裝在compact Z stage,移動范圍2英寸。 (3) PLD腔帶有6個1英寸靶源,靶的自轉速度> 10 rpm，可用步進電動機進行靶源切換，帶水冷裝置，靶垂直方向移動范圍2英寸。(4)樣品架的Z方向移動范圍為2英寸；x,y方向移動范圍為0.5英寸；360o主軸轉動；>±30o面內轉動；兼容omicron樣品托；氧氣氛圍下可加熱> 900oC；帶水冷裝置。

功能/應用范圍：本系統能研究低維度下復雜氧化物體系的表面和界面，以及空間束縛狀態下的性質。使我們能夠在微觀尺度上重新審視錳氧化物金屬絕緣體相變的各種現象。其中一套脈沖激光分子束外延與變溫掃描隧道顯微鏡大型聯機系統，主要做原位分析測量；另外兩套將是獨立的脈沖激光分子束外延生長設備，用于制備錳氧化物單晶薄膜以及錳氧化物超晶格薄膜樣品，然后利用光刻技術制備納米線，量子點等，測試其在空間束縛下的物理性質。

主要測試和研究領域：其他